制造商型号: | DMN3024LSD-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMN3024LSD-13
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DMN3024LSD-13 中文资料
数据手册PDF
DMN3024LSD-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.2 A
漏源电阻 24 mOhms, 24 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12.9 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns, 8 ns
正向跨导(Min) 16.5 S, 16.5 S
上升时间 3.3 ns, 3.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns, 16 ns
典型接通延迟时间 2.9 ns, 2.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 1.600027 | 4000.07 |
5000 | 1.496833 | 7484.16 |
12500 | 1.39357 | 17419.63 |
25000 | 1.32134 | 33033.50 |
品牌其他型号
DMN3024LSD-13品牌厂家:DIODES
,所属分类: 射频晶体管
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