制造商型号： | DMN65D8LQ-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V SOT23 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) DMN65D8LQ-7
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DMN65D8LQ-7 中文资料
数据手册PDF
DMN65D8LQ-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 310 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 870 pC
耗散功率 540 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 0.264719 | 794.16 |
| 6000 | 0.230191 | 1381.15 |
| 15000 | 0.195662 | 2934.93 |
| 30000 | 0.184152 | 5524.56 |
| 75000 | 0.172643 | 12948.22 |
品牌其他型号
DMN65D8LQ-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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