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DMN3024LSD-13

DMN3024LSD-13

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Diodes(美台) 分立器件

2个N沟道 30V 6.8A

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 6.8A 1.8W 表面贴装型 8-SO


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO


立创商城:
2个N沟道 30V 6.8A


贸泽:
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V DUAL N-CHANNEL


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A Automotive 8-Pin SO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 8-Pin SO T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A Automotive 8-Pin SO T/R


Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO


DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A SO8


DMN3024LSD-13中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 7.2A

上升时间 3.3 ns

输入电容Ciss 608pF @15VVds

额定功率Max 1.8 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMN3024LSD-13引脚图与封装图
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在线购买DMN3024LSD-13
型号 制造商 描述 购买
DMN3024LSD-13 Diodes 美台 2个N沟道 30V 6.8A 搜索库存
替代型号DMN3024LSD-13
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： DMN3024LSD-13

品牌： Diodes 美台

封装： 8-SO N-CH 30V 7.2A

当前型号

2个N沟道 30V 6.8A

当前型号

型号： ZXMN3G32DN8TA

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封装： 8-SOIC Dual N-Channel 30V 7.1A

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