DMN3024LSD-13、ZXMN3G32DN8TA、SI4944DY-T1-E3对比区别

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型号 DMN3024LSD-13 ZXMN3G32DN8TA SI4944DY-T1-E3

描述 2个N沟道 30V 6.8AZXMN3G32 系列 30 V 0.028 Ohm 双 N 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8MOSFET N-CH DUAL 30V 9.3A 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

极性 N-CH Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W 2.1 W -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 7.2A 7.10 A 12.2 A

上升时间 3.3 ns 3.1 ns -

输入电容(Ciss) 608pF @15V(Vds) 472pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 1.8 W 1.25 W 1.3 W

下降时间 8 ns 9.7 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2000 mW 2100 mW -

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - 4 mm 3.9 mm

高度 - 1.5 mm 1.75 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -