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TI(德州仪器) CSD85301Q2T

TI(德州仪器) CSD85301Q2T
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

CSD85301Q2T

制造商:

TI (德州仪器)

产品类别:

射频晶体管

商品描述:

MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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CSD85301Q2T 中文资料

数据手册PDF

CSD85301Q2T 规格参数

关键信息

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 5 A

漏源电阻 27 mOhms

栅极电压 - 10 V, + 10 V

栅源极阈值电压 600 mV

栅极电荷 5.4 nC

耗散功率 2.3 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 15 ns

上升时间 26 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 14 ns

典型接通延迟时间 6 ns

外形参数

高度 0.75 mm

长度 2 mm

宽度 2 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 9.700 mg

CSD85301Q2T 引脚图与封装图

CSD85301Q2T引脚图

CSD85301Q2T引脚图

CSD85301Q2T封装图

CSD85301Q2T封装图

CSD85301Q2T封装焊盘图

CSD85301Q2T封装焊盘图

库存: 250

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

250 个

整装:

¥10
单价:¥9.246104 总价:¥2311.53
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
250 9.246104 2311.53
品牌其他型号
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