锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

CSD85301Q2T

CSD85301Q2T

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  CSD85301Q2T  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 900 mV

N 通道 NexFET™ 双 MOSFET,Texas Instruments


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD85301Q2T, 5 A, Vds=20 V, 6引脚 WSON封装


得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON


立创商城:
CSD85301Q2T


德州仪器TI:
20-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual SON 2 mm x 2 mm, 27 mOhm, gate ESD protection


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 900 mV


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WSON T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD85301Q2T  Dual MOSFET, Dual N Channel, 5 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 900 mV


CSD85301Q2T中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.023 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2.3 W

阈值电压 900 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 5A

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 469pF @10VVds

额定功率Max 2.3 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WDFN-6

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 2.1 mm

高度 0.75 mm

封装 WDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, 工业, 通信与网络, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD85301Q2T引脚图与封装图
CSD85301Q2T引脚图

CSD85301Q2T引脚图

CSD85301Q2T封装图

CSD85301Q2T封装图

CSD85301Q2T封装焊盘图

CSD85301Q2T封装焊盘图

在线购买CSD85301Q2T
型号 制造商 描述 购买
CSD85301Q2T TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  CSD85301Q2T  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 900 mV 搜索库存
替代型号CSD85301Q2T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD85301Q2T

品牌: TI 德州仪器

封装: WSON Dual N-Channel 20V 5A

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  CSD85301Q2T  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 900 mV

当前型号

型号: CSD85301Q2

品牌: 德州仪器

封装: 6-WDFN N-CH 20V 5A

功能相似

CSD85301Q2,双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD85301Q2T和CSD85301Q2的区别