制造商型号： | CSD85302LT |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD85302LT
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CSD85302LT 中文资料
数据手册PDF
CSD85302LT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 680 mV
栅极电荷 6 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 99 ns
上升时间 54 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 173 ns
典型接通延迟时间 37 ns
外形参数
高度 0.22 mm
长度 1.35 mm
宽度 1.35 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.200 mg
CSD85302LT 引脚图与封装图
CSD85302LT引脚图
CSD85302LT封装图
CSD85302LT封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 250 | 5.211564 | 1302.89 |
| 500 | 4.605708 | 2302.85 |
| 1250 | 3.636093 | 4545.12 |
| 2500 | 3.393654 | 8484.14 |
| 6250 | 3.223969 | 20149.81 |
品牌其他型号
CSD85302LT品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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