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CSD85302LT

CSD85302LT

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  CSD85302LT  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 900 mV

Mosfet Array 2 N-Channel Dual Common Drain 1.7W Surface Mount 4-Picostar 1.31x1.31


得捷:
MOSFET 2N-CH


立创商城:
CSD85302LT


德州仪器TI:
20-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual common drain LGA 1.35 mm x 1.35 mm, 24 mOhm, gate ESD pro


艾睿:
20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 4-Pin PICOSTAR T/R


Verical:
20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm


Newark:
Dual MOSFET, Dual N Channel, 7 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 900 mV


CSD85302LT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.024 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1.7 W

阈值电压 900 mV

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 54 ns

额定功率Max 1.7 W

下降时间 99 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 XFLGA-4

外形尺寸

封装 XFLGA-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD85302LT引脚图与封装图
CSD85302LT引脚图

CSD85302LT引脚图

CSD85302LT封装图

CSD85302LT封装图

CSD85302LT封装焊盘图

CSD85302LT封装焊盘图

在线购买CSD85302LT
型号 制造商 描述 购买
CSD85302LT TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  CSD85302LT  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 900 mV 搜索库存
替代型号CSD85302LT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD85302LT

品牌: TI 德州仪器

封装: LGA Dual N-Channel

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  CSD85302LT  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 900 mV

当前型号

型号: CSD85302L

品牌: 德州仪器

封装: 4-XFLGA N-CH

功能相似

20V、N 沟道 NexFET MOSFET™、双路共漏极、LGA 1.35x1.35、24mΩ 4-PICOSTAR -55 to 150

CSD85302LT和CSD85302L的区别