制造商型号: | CSD75208W1015 |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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TI(德州仪器) CSD75208W1015
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CSD75208W1015 中文资料
数据手册PDF
CSD75208W1015 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 68 mOhms, 108 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 2.5 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 7.5 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 0.625 mm
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.400 mg
库存: 7380
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.707104 | 6.71 |
10 | 5.781985 | 57.82 |
100 | 4.317986 | 431.80 |
500 | 3.392407 | 1696.20 |
1000 | 2.621552 | 2621.55 |
品牌其他型号
CSD75208W1015品牌厂家:TI
,所属分类: 射频晶体管
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