通道数 2
针脚数 6
漏源极电阻 0.056 Ω
极性 Dual P-Channel
耗散功率 750 mW
阈值电压 0.5 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1.6A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 410pF @10VVds
额定功率Max 750 mW
下降时间 11 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 750 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 UFBGA-6
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
高度 0.625 mm
封装 UFBGA-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD75208W1015 | TI 德州仪器 | CSD75208W1015，双路共源 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD75208W1015 品牌： TI 德州仪器 封装： 6-UFBGA Dual P-Channel 20V 1.6A | 当前型号 | CSD75208W1015，双路共源 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 当前型号 |
| 型号： CSD75208W1015T 品牌： 德州仪器 封装： DSBGA Dual P-Channel 20V 1.6A | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS CSD75208W1015T 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.6 A, -20 V, 0.056 ohm, -4.5 V, -800 mV | CSD75208W1015和CSD75208W1015T的区别 |
| 型号： CSD75205W1015 品牌： 德州仪器 封装： SMD P-Channel 20V 1.2A | 类似代替 | 双路 P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD75208W1015和CSD75205W1015的区别 |
