制造商型号: | SI1965DH-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SI1965DH-T1-E3
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SI1965DH-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI1965DH-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 1.3 A
漏源电阻 390 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 4.2 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 2.5 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1965DH-T1-BE3 SI1965DH-E3
单位重量 7.500 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 1.179389 | 3538.17 |
6000 | 1.119436 | 6716.62 |
9000 | 1.039476 | 9355.28 |
30000 | 1.01551 | 30465.30 |
品牌其他型号
SI1965DH-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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