SI1965DH-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI1965DH-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 12 V
输入电容Ciss 120pF @6VVds
额定功率Max 1.25 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-6
外形尺寸
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI1965DH-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI1965DH-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1965DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6 | 搜索库存 |
替代型号SI1965DH-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI1965DH-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 6-TSSOP | 当前型号 | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6 | 当前型号 |
| 型号： SI1965DH-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 6-TSSOP | 完全替代 | MOSFET 12V 1.3A 1.25W 390mohm @ 4.5V | SI1965DH-T1-E3和SI1965DH-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI1917EDH-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 6-TSSOP | 类似代替 | MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6 | SI1965DH-T1-E3和SI1917EDH-T1-E3的区别 |
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