制造商型号： | NTHD3102CT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NTHD3102CT1G
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NTHD3102CT1G 中文资料
数据手册PDF
NTHD3102CT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.5 A
漏源电阻 45 mOhms, 80 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV, 1.2 V
栅极电荷 7.9 nC, 8.9 nC
耗散功率 600 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15.9 ns, 16.9 ns
正向跨导（Min） 7.7 S, 5.9 S
上升时间 15.9 ns, 16.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16.4 ns, 15.7 ns
典型接通延迟时间 7.2 ns, 6.4 ns
外形参数
高度 1.05 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 85 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 3.3092 | 9927.60 |
| 6000 | 3.143764 | 18862.58 |
| 15000 | 3.025525 | 45382.88 |
