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SILICONIX(威世) SQS405ENW-T1_GE3

SILICONIX(威世) SQS405ENW-T1_GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SQS405ENW-T1_GE3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
digikey

服务:

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SQS405ENW-T1_GE3 中文资料

SQS405ENW-T1_GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 12 V

漏极电流 16 A

漏源电阻 14 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 75 nC

耗散功率 39 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 26 ns

正向跨导(Min) 34 S

上升时间 29 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 59 ns

典型接通延迟时间 27 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 1 g

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥7.350505 总价:¥7.35

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 7.350505 7.35
10 6.552116 65.52
100 5.1106 511.06
500 4.221523 2110.76
1000 3.332829 3332.83
品牌其他型号
SQS405ENW-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SQS405ENW-T1_GE3、查询SQS405ENW-T1_GE3代理商; SQS405ENW-T1_GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SQS405ENW-T1_GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SQS405ENW-T1_GE3替代型号SQS405ENW-T1_GE3数据手册PDF