制造商型号: | SQS405ENW-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SQS405ENW-T1_GE3
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SQS405ENW-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQS405ENW-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 14 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 75 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 26 ns
正向跨导(Min) 34 S
上升时间 29 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 59 ns
典型接通延迟时间 27 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.350505 | 7.35 |
10 | 6.552116 | 65.52 |
100 | 5.1106 | 511.06 |
500 | 4.221523 | 2110.76 |
1000 | 3.332829 | 3332.83 |
品牌其他型号
SQS405ENW-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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