制造商型号: | ALD212914PAL |
制造商: | ALD |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ALD ALD212914PAL
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ALD212914PAL 规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标名 EPAD
商标 Advanced Linear Devices
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 10 V
漏极电流 79 mA
漏源电阻 14 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.4 V
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 50 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥75.867195 总价:¥3793.36 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
50 | 75.867195 | 3793.36 |
品牌其他型号
ALD212914PAL品牌厂家:ALD
,所属分类: 射频晶体管
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