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ALD ALD110908SAL

ALD ALD110908SAL
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

ALD110908SAL

制造商:

ALD

产品类别:

射频晶体管

商品描述:

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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ALD110908SAL 中文资料

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ALD110908SAL 规格参数

关键信息

制造商 Advanced Linear Devices

商标 Advanced Linear Devices

产品 MOSFET Small Signal

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 10 V

漏极电流 12 mA

漏源电阻 500 Ohms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

耗散功率 500 mW

通道模式 Depletion

配置 Dual

正向跨导(Min) 0.0014 S

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 10 ns

典型接通延迟时间 10 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

单位重量 74 mg

其它

发货限制:

ALD110908SAL 引脚图与封装图

ALD110908SAL引脚图

ALD110908SAL引脚图

ALD110908SAL封装图

ALD110908SAL封装图

ALD110908SAL封装焊盘图

ALD110908SAL封装焊盘图

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

50 个

整装:

¥10
单价:¥42.813622 总价:¥2140.68

价格(含增值税)

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