ALD212900APAL

Advanced Linear Devices 先进线性电子分立器件

PDIP N-CH 10.6V 0.08A

Mosfet Array 2 N-Channel Dual Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP

得捷:
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

贸泽:
MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

ALD212900APAL中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

极性 N-CH

耗散功率 500 mW

阈值电压 10 mV

漏源极电压Vds 10.6 V

漏源击穿电压 ±10 V

连续漏极电流Ids 0.08A

输入电容Ciss 30pF @5VVds

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 PDIP-8

外形尺寸

封装 PDIP-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ALD212900APAL引脚图与封装图

ALD212900APAL引脚图

ALD212900APAL封装图

ALD212900APAL封装焊盘图

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