制造商型号： | CSD86336Q3D |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | 25V POWERBLOCK N CH MOSFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD86336Q3D
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CSD86336Q3D 中文资料
数据手册PDF
CSD86336Q3D 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 9.1 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
正向跨导（Min） 40 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 Power MOSFET
典型关闭延迟时间 7 ns
典型接通延迟时间 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 99.500 mg
库存： 2219
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 20.016758 | 20.02 |
| 10 | 17.92859 | 179.29 |
| 25 | 17.021658 | 425.54 |
| 100 | 12.766243 | 1276.62 |
| 250 | 12.64466 | 3161.16 |
| 500 | 10.820911 | 5410.46 |
| 1000 | 8.814787 | 8814.79 |
品牌其他型号
CSD86336Q3D品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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