制造商型号： | CSD87334Q3D |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD87334Q3D
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CSD87334Q3D 中文资料
数据手册PDF
CSD87334Q3D 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 8.3 mOhms, 8.3 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 750 mV
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns, 17 ns
上升时间 7 ns, 7 ns
晶体管类型 1 N-channel
典型关闭延迟时间 11 ns, 11 ns
典型接通延迟时间 4 ns, 4 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 76 mg
CSD87334Q3D 引脚图与封装图
CSD87334Q3D引脚图
CSD87334Q3D封装图
CSD87334Q3D封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 5.368208 | 13420.52 |
品牌其他型号
CSD87334Q3D品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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