制造商型号: | SI6968BEDQ-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SI6968BEDQ-T1-GE3
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SI6968BEDQ-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI6968BEDQ-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 18 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 510 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 330 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 860 ns
典型接通延迟时间 245 ns
外形参数
高度 1.2 mm
长度 4.4 mm
宽度 3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI6968BEDQ-GE3
单位重量 158 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥7.166494 总价:¥7.17 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.166494 | 7.17 |
10 | 6.33864 | 63.39 |
25 | 5.960546 | 149.01 |
100 | 4.325844 | 432.58 |
250 | 4.171888 | 1042.97 |
500 | 3.614384 | 1807.19 |
1000 | 3.076156 | 3076.16 |
品牌其他型号
SI6968BEDQ-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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