制造商型号： | CSD86350Q5DT |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | 25V POWERBLOCK N CH MOSFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD86350Q5DT
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CSD86350Q5DT 中文资料
数据手册PDF
CSD86350Q5DT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 5 mOhms, 1.1 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 10.7 nC, 25 nC
耗散功率 13 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.3 ns, 21 ns
正向跨导（Min） 103 S, 132 S
上升时间 21 ns, 23 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 9 ns, 24 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 150.400 mg
库存： 250
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 44.148646 | 44.15 |
| 10 | 37.047717 | 370.48 |
| 100 | 29.975359 | 2997.54 |
