制造商型号： | NTLJD4116NT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NTLJD4116NT1G
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NTLJD4116NT1G 中文资料
数据手册PDF
NTLJD4116NT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.7 A
漏源电阻 70 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 6.5 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 11.8 ns
上升时间 11.8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.2 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 17.670 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 2.254972 | 6764.92 |
| 6000 | 2.099417 | 12596.50 |
| 15000 | 2.021673 | 30325.09 |
| 30000 | 1.951265 | 58537.95 |
