制造商型号： | SI7212DN-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI7212DN-T1-GE3
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SI7212DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI7212DN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.8 A
漏源电阻 36 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 11 nC
耗散功率 2.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 20 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7212DN-GE3
单位重量 1 g
库存： 2984
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 14.501767 | 14.50 |
| 10 | 10.584706 | 105.85 |
| 30 | 9.864658 | 295.94 |
| 100 | 9.14461 | 914.46 |
| 500 | 8.827788 | 4413.89 |
品牌其他型号
SI7212DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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