制造商型号： | CSD87350Q5D |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD87350Q5D
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CSD87350Q5D 中文资料
数据手册PDF
CSD87350Q5D 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 -
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1 V, 750 mV
栅极电荷 8.4 nC, 20 nC
耗散功率 12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.3 ns, 4.7 ns
正向跨导（Min） 97 S, 157 S
上升时间 17 ns, 10 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 33 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 8 ns
规格参数
开发套件 TPS53819AEVM-123
外形参数
高度 1.5 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Synchronous Buck MOSFET Driver
单位重量 162 mg
CSD87350Q5D 引脚图与封装图
CSD87350Q5D引脚图
CSD87350Q5D封装图
CSD87350Q5D封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 8.901287 | 22253.22 |
| 5000 | 8.571632 | 42858.16 |
品牌其他型号
CSD87350Q5D品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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