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CSD87350Q5D

CSD87350Q5D

TI(德州仪器) 分立器件

同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对

NexFET 电源块是一款针对同步降压应用的优化设计器件,它能够在 5mm × 6mm 的小外形尺寸封装内提供高电流、高效率和高频性能。 该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化,可提供高度灵活的解决方案,在与外部控制器/驱动器的任何 5V 栅极驱动配合使用时,均可提供高密度电源。

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半桥电源块
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25A 电流下系统效率达 90%
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工作电流高达 40A
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高频工作(高达 1.5MHz)
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高密度 – 5mm × 6mm 小外形尺寸无引线封装 SON 尺寸
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针对 5V 栅极驱动进行了优化
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低开关损耗
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超低电感封装
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符合 RoHS 环保标准
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无卤素
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无铅端子镀层

## 应用范围

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同步降压转换器
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高频应用
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高电流、低占空比应用
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多相位同步降压转换器
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负载点 POL 直流 DC-DC 转换器
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移动电压定位 IMVP,电压调整模块 VRM 与电压降压调节器 VRD 应用

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CSD87350Q5D中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.005 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 12 W

阈值电压 2.1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 ±30 V

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 1770pF @15VVds

额定功率Max 12 W

下降时间 2.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 12 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 LSON-CLIP-8

外形尺寸

长度 6.1 mm

宽度 5.1 mm

高度 1.5 mm

封装 LSON-CLIP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD87350Q5D引脚图与封装图
CSD87350Q5D引脚图

CSD87350Q5D引脚图

CSD87350Q5D封装图

CSD87350Q5D封装图

CSD87350Q5D封装焊盘图

CSD87350Q5D封装焊盘图

在线购买CSD87350Q5D
型号 制造商 描述 购买
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替代型号CSD87350Q5D
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD87350Q5D

品牌: TI 德州仪器

封装: LSON Dual N-Channel

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