制造商型号： | SI7997DP-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI7997DP-T1-GE3
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SI7997DP-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI7997DP-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 5.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 106 nC
耗散功率 46 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 40 ns, 40 ns
正向跨导（Min） 71 S
上升时间 10 ns, 50 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns, 115 ns
典型接通延迟时间 15 ns, 60 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7997DP-GE3
单位重量 506.600 mg
库存： 13636
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 27.407941 | 27.41 |
| 10 | 24.617315 | 246.17 |
| 100 | 19.782305 | 1978.23 |
| 500 | 16.25316 | 8126.58 |
| 1000 | 13.467018 | 13467.02 |
品牌其他型号
SI7997DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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