制造商型号: | SQJ912BEP-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
提示: | 联系在线客服,获得更多SQJ912BEP-T1_GE3价格库存等采购信息! |
SILICONIX(威世) SQJ912BEP-T1_GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SQJ912BEP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJ912BEP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns, 4 ns
正向跨导(Min) 70 S, 70 S
上升时间 4 ns, 4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns, 33 ns
典型接通延迟时间 12 ns, 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 3000 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥5.936821 总价:¥17810.46 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 5.936821 | 17810.46 |
6000 | 5.397112 | 32382.67 |
15000 | 5.148013 | 77220.19 |