制造商型号： | SIHG33N65EF-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SIHG33N65EF-GE3
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SIHG33N65EF-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHG33N65EF-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 31.6 A
漏源电阻 109 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 171 nC
耗散功率 313 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥88.484106 总价：￥88.48 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 88.484106 | 88.48 |
| 10 | 79.939556 | 799.40 |
| 100 | 66.183194 | 6618.32 |
| 500 | 57.631351 | 28815.68 |
| 1000 | 55.772334 | 55772.33 |
品牌其他型号
SIHG33N65EF-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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