制造商型号： | SIA427DJ-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIA427DJ-T1-GE3
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SIA427DJ-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIA427DJ-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 95 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 50 nC
耗散功率 19 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIA427DJ-GE3
单位重量 11.688 g
SIA427DJ-T1-GE3 同类别型号
库存： 21708
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.630776 | 5.63 |
| 10 | 5.472365 | 54.72 |
| 30 | 5.371558 | 161.15 |
| 100 | 5.270752 | 527.08 |
品牌其他型号
SIA427DJ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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