制造商型号: | SI1032R-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI1032R-T1-GE3
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SI1032R-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI1032R-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 5 Ohms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 750 pC
耗散功率 280 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 0.8 mm
长度 1.575 mm
宽度 0.76 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1032R-GE3
单位重量 2 mg
库存: 67855
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.630776 | 5.63 |
10 | 4.19068 | 41.91 |
30 | 3.917062 | 117.51 |
100 | 3.657844 | 365.78 |
500 | 3.542636 | 1771.32 |
品牌其他型号
SI1032R-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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