制造商型号: | CSD88537NDT |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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TI(德州仪器) CSD88537NDT
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CSD88537NDT 中文资料
数据手册PDF
CSD88537NDT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 19 ns
正向跨导(Min) 42 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 5 ns
典型接通延迟时间 6 ns
规格参数
开发套件 DRV8308EVM, DRV8307EVM, BOOST-DRV8711
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 74 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥19.184239 总价:¥19.18 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 19.184239 | 19.18 |
10 | 17.184918 | 171.85 |
100 | 13.396608 | 1339.66 |
品牌其他型号
CSD88537NDT品牌厂家:TI
,所属分类: 射频晶体管
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