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CSD88537NDT

CSD88537NDT

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  CSD88537NDT  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.0125 ohm, 10 V, 3 V

The is a NexFET™ dual N-channel Power MOSFET designed to serve as a half bridge in low current motor control applications.

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Ultra-low Qg and Qgd
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Avalanche rated
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Halogen-free

得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC


立创商城:
2个N沟道 60V 15A


德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual SO-8, 15 mOhm


贸泽:
MOSFET 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 15 A, 0.0125 ohm, SOIC, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin SOIC T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 15A; 2.1W; SO8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD88537NDT  Dual MOSFET, Dual N Channel, 15 A, 60 V, 0.0125 ohm, 10 V, 3 V


CSD88537NDT中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.0125 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2.1 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 15A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1400pF @30VVds

额定功率Max 2.1 W

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD88537NDT引脚图与封装图
CSD88537NDT引脚图

CSD88537NDT引脚图

CSD88537NDT封装图

CSD88537NDT封装图

CSD88537NDT封装焊盘图

CSD88537NDT封装焊盘图

在线购买CSD88537NDT
型号 制造商 描述 购买
CSD88537NDT TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  CSD88537NDT  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.0125 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号CSD88537NDT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD88537NDT

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC Dual N-Channel 60V 15A

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  CSD88537NDT  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.0125 ohm, 10 V, 3 V

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品牌: 德州仪器

封装: SOIC Dual N-Channel 60V 15A

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CSD88537NDT和CSD88537ND的区别