制造商型号： | CSD86330Q3D |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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TI(德州仪器) CSD86330Q3D
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CSD86330Q3D 中文资料
数据手册PDF
CSD86330Q3D 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 -
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 2.1 V, 1.6 V
栅极电荷 6.2 nC, 12 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.9 ns, 4.2 ns
正向跨导（Min） 52 S, 82 S
上升时间 7.5 ns, 6.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.5 ns, 15.8 ns
典型接通延迟时间 4.9 ns, 5.3 ns
规格参数
开发套件 CSD86330EVM-717, TPS40322EVM-679
外形参数
高度 1.5 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 64 mg
库存： 3064
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 28.198231 | 28.20 |
| 10 | 25.366254 | 253.66 |
| 100 | 20.390239 | 2039.02 |
| 500 | 16.752424 | 8376.21 |
| 1000 | 13.924092 | 13924.09 |
品牌其他型号
CSD86330Q3D品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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