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CSD87331Q3D、CSD87350Q5D、CSD86330Q3D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD87331Q3D CSD87350Q5D CSD86330Q3D

描述 30V 同步降压 NexFET™ 电源块同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 LSON-CLIP-8 LSON-CLIP-8 LDFN-8

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

极性 Dual N-Channel Dual N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 6 W 12 W 6 W

阈值电压 2.1 V 2.1 V 1.4 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V

输入电容(Ciss) 518pF @15V(Vds) 1770pF @15V(Vds) 920pF @12.5V(Vds)

额定功率(Max) 6 W 12 W 6 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 6 W 12 W 6 W

漏源极电阻 - 0.005 Ω 4.6 Ω

漏源击穿电压 - ±30 V -

上升时间 - 17 ns -

下降时间 - 2.3 ns -

电源电压(DC) - - 22.0V (max)

长度 3.4 mm 6.1 mm 3.4 mm

宽度 3.3 mm 5.1 mm 3.4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 LSON-CLIP-8 LSON-CLIP-8 LDFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2017/07/07 2015/06/15 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99