制造商型号： | SI5513CDC-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SI5513CDC-T1-GE3
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SI5513CDC-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI5513CDC-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A, 3.7 A
漏源电阻 55 mOhms, 150 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV, 1.5 V
栅极电荷 4.2 nC, 5.6 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI5509DC-T1-GE3
单位重量 85 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥7.900367 总价：￥7.90 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 7.900367 | 7.90 |
| 10 | 6.770006 | 67.70 |
| 100 | 5.053804 | 505.38 |
| 500 | 3.970846 | 1985.42 |
| 1000 | 3.068381 | 3068.38 |
品牌其他型号
SI5513CDC-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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