制造商型号： | SIA533EDJ-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多SIA533EDJ-T1-GE3价格库存等采购信息！ |
SILICONIX(威世) SIA533EDJ-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SIA533EDJ-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIA533EDJ-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 34 mOhms, 59 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 10 nC, 13 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 10 ns
正向跨导（Min） 21 S, 11 S
上升时间 10 ns, 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 15 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIA533EDJ-GE3
单位重量 28 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥8.215689 总价：￥8.22 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 8.215689 | 8.22 |
| 10 | 7.049591 | 70.50 |
| 100 | 5.259368 | 525.94 |
| 500 | 4.132227 | 2066.11 |
| 1000 | 3.193253 | 3193.25 |
品牌其他型号
SIA533EDJ-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购SIA533EDJ-T1-GE3、查询SIA533EDJ-T1-GE3代理商； SIA533EDJ-T1-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SIA533EDJ-T1-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
SIA533EDJ-T1-GE3替代型号
、
SIA533EDJ-T1-GE3数据手册PDF。