制造商型号： | SI7309DN-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI7309DN-T1-GE3
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SI7309DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI7309DN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 146 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 19.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7309DN-GE3
单位重量 1 g
库存： 6072
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 12.424457 | 12.42 |
| 10 | 10.163207 | 101.63 |
| 100 | 7.905682 | 790.57 |
| 500 | 6.701008 | 3350.50 |
| 1000 | 5.458685 | 5458.69 |
品牌其他型号
SI7309DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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