SI7309DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.146 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 3.2 W
漏源极电压Vds -60.0 V
连续漏极电流Ids -8.00 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 1212
外形尺寸
封装 1212
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7309DN-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7309DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7309DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, P沟道, -8 A, -60 V, 0.092 ohm, -10 V, -3 V 新 | 搜索库存 |