制造商型号： | RJP65T43DPQ-A0#T2 |
制造商： | INTERSIL/RECTIFIER (瑞萨) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT TRENCH 650V 60A TO247A |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INTERSIL/RECTIFIER(瑞萨) RJP65T43DPQ-A0#T2
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RJP65T43DPQ-A0#T2 中文资料
数据手册PDF
RJP65T43DPQ-A0#T2 规格参数
关键信息
制造商 Renesas Electronics
商标 Renesas Electronics
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.8 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 150 W
集电极连续电流（Max） 60 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 1 uA
湿度敏感性 Yes
外形参数
高度 mm
长度 mm
宽度 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6 g
RJP65T43DPQ-A0#T2 同类别型号
库存： 879
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 43.222321 | 43.22 |
| 10 | 38.807635 | 388.08 |
| 100 | 31.794986 | 3179.50 |
| 500 | 27.066188 | 13533.09 |
| 1000 | 25.688044 | 25688.04 |
品牌其他型号
RJP65T43DPQ-A0#T2品牌厂家：INTERSIL/RECTIFIER
，所属分类： 晶体管-IGBT
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