制造商型号: | RJP65T54DPM-A0#T2 |
制造商: | INTERSIL/RECTIFIER (瑞萨) |
产品类别: | 晶体管-IGBT |
商品描述: | IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INTERSIL/RECTIFIER(瑞萨) RJP65T54DPM-A0#T2
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RJP65T54DPM-A0#T2 中文资料
数据手册PDF
RJP65T54DPM-A0#T2 规格参数
关键信息
制造商 Renesas Electronics
商标 Renesas Electronics
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.35 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 63.5 W
集电极连续电流(Max) 30 A
栅极—射极漏泄电流 1 uA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
品牌其他型号
RJP65T54DPM-A0#T2品牌厂家:INTERSIL/RECTIFIER
,所属分类: 晶体管-IGBT
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