制造商型号： | SI3590DV-T1-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI3590DV-T1-E3
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SI3590DV-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI3590DV-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.5 A, 1.7 A
漏源电阻 77 mOhms, 170 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 3 nC, 3.8 nC
耗散功率 830 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 20 ns
正向跨导（Min） 10 S, 5 S
上升时间 12 ns, 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3590DV-T1
单位重量 20 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 1.794884 | 5384.65 |
品牌其他型号
SI3590DV-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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