制造商型号： | CSD85301Q2 |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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TI(德州仪器) CSD85301Q2
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CSD85301Q2 中文资料
数据手册PDF
CSD85301Q2 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 5.4 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15 ns, 15 ns
正向跨导（Min） 20 S, 20 S
上升时间 26 ns, 26 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns, 14 ns
典型接通延迟时间 6 ns, 6 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 9.700 mg
CSD85301Q2 引脚图与封装图
CSD85301Q2引脚图
CSD85301Q2封装图
CSD85301Q2封装焊盘图
库存： 82
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 3.426962 | 3.43 |
品牌其他型号
CSD85301Q2品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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