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CSD85301Q2

CSD85301Q2

TI(德州仪器) 分立器件

CSD85301Q2,双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

是一款 20V、23mΩ N 通道器件,它具有两个独立的 MOSFET,并且采用 SON 2mm x 2mm 塑料封装。 这两个场效应管 FET 采用半桥配置,适用于同步降压等电源应用。 此外,该部件还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电应用。 两个 FET 的漏源导通电阻均较低,可最大程度降低损耗并减少元件数,非常适合空间受限型应用。

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低导通电阻
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两个独立的 MOSFET
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节省空间的小外形尺寸无引线 SON 2mm × 2mm 塑料封装
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针对 5V 栅极驱动器而优化
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雪崩级
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无铅且无卤素
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符合 RoHS 环保标准

## 应用范围

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用于网络互联,电信和计算系统的负载点同步降压转换器
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针对笔记本个人电脑 PC 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
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电池保护

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CSD85301Q2中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 27 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 2.3 W

阈值电压 600 mV, 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 ±20 V

连续漏极电流Ids 5A

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 469pF @10VVds

额定功率Max 2.3 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WSON-FET-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 2 mm

高度 0.75 mm

封装 WSON-FET-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CSD85301Q2引脚图与封装图
CSD85301Q2引脚图

CSD85301Q2引脚图

CSD85301Q2封装图

CSD85301Q2封装图

CSD85301Q2封装焊盘图

CSD85301Q2封装焊盘图

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CSD85301Q2 TI 德州仪器 CSD85301Q2,双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 搜索库存
替代型号CSD85301Q2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD85301Q2

品牌: TI 德州仪器

封装: 6-WDFN N-CH 20V 5A

当前型号

CSD85301Q2,双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

当前型号

型号: CSD87502Q2

品牌: 德州仪器

封装: 6-WDFN N-CH 30V 5A

类似代替

30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、双路 SON2x2、42mΩ 6-WSON -55 to 150

CSD85301Q2和CSD87502Q2的区别

型号: CSD85301Q2T

品牌: 德州仪器

封装: WSON Dual N-Channel 20V 5A

功能相似

TEXAS INSTRUMENTS  CSD85301Q2T  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 900 mV

CSD85301Q2和CSD85301Q2T的区别