制造商型号: | CSD17579Q3A |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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TI(德州仪器) CSD17579Q3A
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CSD17579Q3A 中文资料
数据手册PDF
CSD17579Q3A 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 39 A
漏源电阻 10.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 29 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1 ns
正向跨导(Min) 37 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 2 ns
规格参数
开发套件 TPS25741EVM-802, TPS25741AEVM-802
外形参数
高度 0.9 mm
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 27.300 mg
CSD17579Q3A 引脚图与封装图
CSD17579Q3A引脚图
CSD17579Q3A封装图
CSD17579Q3A封装焊盘图
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 1.408353 | 3520.88 |
5000 | 1.336694 | 6683.47 |
12500 | 1.24122 | 15515.25 |
25000 | 1.212571 | 30314.28 |
品牌其他型号
CSD17579Q3A品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
,可在锐单商城现货采购CSD17579Q3A、查询CSD17579Q3A代理商; CSD17579Q3A价格批发咨询客服;这里拥有
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