制造商型号: | FCMT299N60 |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 12A POWER88 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) FCMT299N60
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FCMT299N60 中文资料
数据手册PDF
FCMT299N60 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 299 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 51 ns
典型接通延迟时间 19 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 8 mm
宽度 8 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 449.030 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 9.205085 | 27615.26 |
6000 | 8.864134 | 53184.80 |
品牌其他型号
FCMT299N60品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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