CSD17579Q3A
TI(德州仪器)
分立器件
CSD17579Q3A 30 V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
这款 30V，8.7mΩ，SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
顶视图
要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 50°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。 最大 RθJC = 5.4°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
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- 低 Qg 和 Qgd
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- 低 RDSon
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- 低热阻
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- 雪崩额定值
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- 无铅
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- 符合 RoHS 环保标准
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- 无卤素
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- 小外形尺寸无引线 SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
## 应用
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- 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
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- 针对控制场效应 FET 应用进行了优化
