CSD17579Q3A、CSD17579Q3AT、RQ3E180BNTB对比区别

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型号 CSD17579Q3A CSD17579Q3AT RQ3E180BNTB

描述 CSD17579Q3A 30 V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETN 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8Pin HSMT EP T/R

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VSONP-8 VSONP-8 PowerVDFN-8

通道数 1 1 -

漏源极电阻 11.8 mΩ 0.0087 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 2.5 W 29 W 2 W

阈值电压 1.1 V 1.5 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

漏源击穿电压 30 V - -

连续漏极电流(Ids) 20A 20A -

上升时间 5 ns 5 ns -

输入电容(Ciss) 998pF @15V(Vds) 768pF @15V(Vds) 3500pF @15V(Vds)

下降时间 1 ns 1 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3.2W (Ta), 29W (Tc) 3.2W (Ta), 29W (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc)

长度 3.15 mm 3.5 mm -

宽度 3 mm 3.5 mm -

高度 0.9 mm 0.9 mm -

封装 VSONP-8 VSONP-8 PowerVDFN-8

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -