制造商型号： | CSD17581Q5AT |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | 30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD17581Q5AT
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CSD17581Q5AT 中文资料
数据手册PDF
CSD17581Q5AT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 54 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 85 S
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 84.400 mg
库存： 2438
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.332968 | 13.33 |
| 10 | 10.903129 | 109.03 |
| 100 | 8.483258 | 848.33 |
品牌其他型号
CSD17581Q5AT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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