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CSD17581Q5AT

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TI(德州仪器) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0029 ohm, 10 V, 1.3 V

N-Channel 30V 24A Ta, 123A Tc 3.1W Ta, 83W Tc Surface Mount 8-VSONP 5x6


得捷:
MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON


立创商城:
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德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 4.2 mOhm


贸泽:
MOSFET 30V, N-Ch NexFET Power MOSFET


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0029 ohm, 10 V, 1.3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 83W; VSONP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD17581Q5AT  MOSFET, N-CH, 30V, 60A, VSON-8 New


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON / N-Channel 30 V 24A Ta, 123A Tc 3.1W Ta, 83W Tc Surface Mount 8-VSONP 5x6


CSD17581Q5AT中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0029 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 1.3 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 60A

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 3640pF @15VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta, 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSONP-8

外形尺寸

长度 6 mm

宽度 4.9 mm

高度 1 mm

封装 VSONP-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD17581Q5AT引脚图与封装图
CSD17581Q5AT引脚图

CSD17581Q5AT引脚图

CSD17581Q5AT封装图

CSD17581Q5AT封装图

CSD17581Q5AT封装焊盘图

CSD17581Q5AT封装焊盘图

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型号 制造商 描述 购买
CSD17581Q5AT TI 德州仪器 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0029 ohm, 10 V, 1.3 V 搜索库存
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型号: CSD17581Q5AT

品牌: TI 德州仪器

封装: VSONP-8 N-Channel 30V 60A

当前型号

晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0029 ohm, 10 V, 1.3 V

当前型号

型号: CSD17581Q5A

品牌: 德州仪器

封装: VSONP-8 N-CH 30V 60A

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