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CSD17581Q5A、CSD17581Q5AT、CSD17576Q5B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD17581Q5A CSD17581Q5AT CSD17576Q5B

描述 CSD17581Q5A 30V N 沟道 NexFET™ MOSFET晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0029 ohm, 10 V, 1.3 VCSD17576Q5B,30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VSONP-8 VSONP-8 VSON-CLIP

通道数 1 1 -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 3.5 mΩ 0.0029 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 83 W 83 W 3.1 W

阈值电压 1 V 1.3 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 60A 60A 100A

上升时间 21 ns 21 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 3640pF @15V(Vds) 3640pF @15V(Vds) 4430pF @15V(Vds)

下降时间 10 ns 10 ns 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 83W (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc)

长度 6 mm 6 mm -

宽度 4.9 mm 4.9 mm -

高度 1 mm 1 mm -

封装 VSONP-8 VSONP-8 VSON-CLIP

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 155℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -